PH965C6 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备等应用中。该器件采用先进的 Trench 工艺技术,提供优异的导通电阻(Rds(on))和开关性能,适用于高效率、小型化电源系统设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大6.5mΩ(在Vgs=10V)
封装形式:Power-SO8
工作温度范围:-55°C 至 175°C
PH965C6 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)):该器件在 Vgs=10V 时,Rds(on) 最大为 6.5mΩ,有助于减少导通损耗,提高电源效率。
2. 高电流能力:在 25°C 下可承载高达 100A 的连续漏极电流,适合高功率密度应用。
3. 优化的开关性能:通过优化设计,该 MOSFET 具有快速的开关速度和低开关损耗,适用于高频开关电路。
4. 高可靠性:采用先进的制造工艺和封装技术,确保在高温和高电流条件下仍具有稳定的性能和长寿命。
5. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围,适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
6. 封装小巧:采用 Power-SO8 封装,节省 PCB 空间,便于高密度布局。
7. 热性能优越:Power-SO8 封装具有良好的散热能力,能够有效管理器件在高负载下的热量。
这些特性使得 PH965C6 成为电源转换、电池管理系统、电机控制等应用的理想选择。
PH965C6 常用于以下应用场景:
1. DC-DC 转换器:作为主开关或同步整流器,提升转换效率并减少热量损耗。
2. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制和保护电路,确保电池组的安全运行。
3. 电机驱动和逆变器:在电机控制电路中作为功率开关,实现高效能和快速响应。
4. 负载开关和电源管理:用于电源管理系统中的高侧或低侧开关,控制电源的通断。
5. 服务器和通信设备电源:适用于高效率、高功率密度的电源模块设计。
6. 汽车电子:用于车载充电器、电动助力转向系统、车载逆变器等汽车应用,满足严格的汽车电子可靠性要求。
7. 工业自动化:在工业控制系统中作为功率开关,用于驱动继电器、电磁阀、电机等负载。
由于其高性能和可靠性,PH965C6 特别适合需要高效率、高稳定性和紧凑设计的现代电子系统。
SiS828DN, IPB096N06N, SQJ428E