IPP052N06L3GXKSA1是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET,属于OptiMOS系列。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻、高效率和高可靠性等特点,适合用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
该型号中的IPP表示英飞凌功率产品系列,052代表最大导通电阻的规格参数,N表示N沟道,06表示耐压等级为60V,L3表示封装类型为PG-LQFN32(5x6mm),G表示具有栅极保护功能,XKS表示特定的产品版本,A1是内部批号。
最大漏源电压:60V
最大连续漏电流:87A
最大脉冲漏电流:240A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷:75nC
输入电容:4950pF
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:PG-LQFN32(5x6mm)
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关性能,适用于高频应用场合。
4. 内置栅极保护电路,防止过电压对栅极造成损害。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的使用需求。
7. 优化的热性能,便于散热管理。
8. 可靠性高,经过严格的质量测试。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. LED照明驱动电路中的功率调节器件。
7. 其他需要高效、可靠功率开关的应用场景。
IPP050N06S3,IPP052N06L3G,IRF7778,STP55NF06