时间：2025/12/28 14:35:46
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KP8N65D是一款由KODENSHI（古河电气工业株式会社）制造的N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率开关应用，包括电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统等。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的热稳定性，适合在高温环境下运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：650V
连续漏极电流(ID)：8A（在25℃）
导通电阻(RDS(on))：典型值0.8Ω（最大值1.2Ω）
栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V至4.0V
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
功率耗散(PD)：50W
KP8N65D采用了先进的沟槽结构技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其650V的漏源电压额定值使其非常适合用于高电压应用，例如开关电源、马达驱动和电池充电器。该器件的封装设计具有良好的热管理能力，能够在高功率密度环境下保持稳定的性能。此外，KP8N65D具有较高的抗雪崩能力，增强了在高应力工作条件下的可靠性。
KP8N65D的栅极驱动设计优化，使其在开关过程中具有较低的开关损耗，从而提升了高频应用的效率。其阈值电压范围适中，确保了在各种控制电路中的稳定运行。该器件还具备良好的短路耐受能力，进一步提高了系统在异常工作条件下的安全性。
此外，KP8N65D的封装形式为TO-220，便于散热器安装，提高了散热效率。这种封装方式也使得它在各种工业和消费类电子设备中具有较高的适用性。KP8N65D的这些特性使其成为一种可靠的功率MOSFET解决方案，广泛应用于需要高效、高可靠性和高功率处理能力的电路设计中。
KP8N65D主要用于各种高功率开关应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电池管理系统、马达驱动器以及各种工业控制设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。此外，KP8N65D还可用于各种消费类电子产品和工业自动化设备中的功率调节电路。
SiHF8N65D, STF8N65M5, FQP8N65C
