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08N60GX 发布时间 时间:2025/8/9 14:04:32 查看 阅读:43

08N60GX 是一款高压、大功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种高电压和高电流的开关应用中。该器件采用TO-220封装,具备良好的热稳定性和电气性能,适用于电源转换、电机控制、逆变器和各种工业电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):8A
  漏极-源极击穿电压(Vds):600V
  栅极-源极电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.95Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

08N60GX MOSFET具有多项优良特性,确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
  首先,该器件具备高耐压能力,漏极-源极击穿电压达到600V,适合用于高压电路中的开关控制。其高击穿电压使其在逆变器、DC-DC转换器等电力电子设备中表现出色。
  其次,08N60GX的最大漏极电流为8A,能够承受较高的负载,适用于中等功率的开关电路。其栅极-源极电压范围为±30V,提供了较大的驱动灵活性,同时具备良好的抗干扰能力。
  此外,该MOSFET的导通电阻(Rds(on))典型值为0.95Ω,较低的导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗较小,从而提高了整体系统的效率。这种特性使其在需要高效能和低发热的应用中尤为适用。
  08N60GX采用了TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C,适应性强,可在各种工业环境中运行。
  最后,该器件具有快速开关能力,适用于高频开关电路,有助于减小电源系统的体积和重量,同时提升系统的响应速度。

应用

08N60GX MOSFET因其高耐压、大电流能力和良好的导通特性,被广泛应用于多个领域。
  在电源管理方面,它常用于AC-DC和DC-DC转换器中,作为主开关器件,提高转换效率并降低损耗。
  在电机控制和驱动电路中,该器件用于控制电机的启停和调速,提供可靠的开关性能。
  此外,08N60GX也被用于逆变器电路,特别是在太阳能逆变器和UPS系统中,作为核心的功率开关元件。
  在工业自动化设备中,该MOSFET用于控制各种高功率负载,如加热元件、电磁阀和继电器等。
  由于其良好的热稳定性和抗过载能力,该器件也常用于LED照明驱动电路和电池充电器中。

替代型号

FQP8N60C、IRF8N60、STP8NK60Z、K2645、K2837

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