类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：4.5A
　　最大功耗（Pd）：90W
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.18Ω（典型值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
　　栅极阈值电压测试条件：Vds = Vgs, Id = 250μA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2N7236作为一款经典的N沟道增强型MOSFET，在性能和可靠性方面表现出色，尤其适合中等功率开关应用。其核心优势之一是具备较高的漏源击穿电压（100V），这使得它能够在多种直流电源系统中安全运行，例如12V、24V甚至48V供电环境中进行高效开关控制。该器件的导通电阻较低，典型值约为0.18Ω，这意味着在导通状态下产生的压降和功率损耗较小，有助于提升系统的整体能效，特别是在持续负载条件下表现更为明显。此外，2N7236的最大连续漏极电流可达4.5A，脉冲电流能力更高，因此可驱动如小型电机、继电器、LED阵列等常见负载。
　　另一个显著特点是其良好的热管理能力。该器件通常采用TO-220封装，这种封装具有较大的金属背板，便于安装散热器，从而有效将工作时产生的热量传导至外部环境，避免芯片因过热而损坏。其最大功耗为90W，结合适当的散热措施，可以在较高负载下长时间稳定运行。此外，2N7236的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其适用于工业级甚至部分军用级别的严苛环境，包括高温车间、户外设备或车载系统。
　　在动态特性方面，2N7236拥有适中的输入电容和栅极电荷，虽然与现代超低Qg的MOSFET相比略显落后，但仍能满足大多数常规开关频率（几十kHz以内）的应用需求。其阈值电压在2V到4V之间，允许使用常见的逻辑电平信号（如5V TTL或微控制器输出）直接驱动，但在高边开关或高速切换场合建议使用专用驱动电路以确保完全饱和导通。此外，该器件具备一定的抗雪崩能力，能够在突发反向电动势或感性负载断开时吸收一定的能量，提高了系统鲁棒性。综合来看，2N7236以其成熟的工艺、可靠的性能和广泛的可用性，成为许多工程师在设计和维修中优先考虑的元器件之一。

2N7236广泛应用于多种电子控制系统中，尤其是在需要中等功率开关能力的场合。典型应用包括直流电机的速度与方向控制，其中该MOSFET作为H桥电路的一部分，能够实现高效的双向驱动。在电源管理系统中，它常用于开关稳压器和DC-DC升压/降压转换器，利用其快速开关特性和低导通电阻来提高转换效率。此外，2N7236也适用于继电器驱动电路，作为控制大电流负载的电子开关，替代传统机械继电器以延长寿命并减少电磁干扰。
　　在照明控制领域，该器件可用于调光电路或大功率LED驱动，通过PWM信号调节亮度，实现节能与精确控制。工业自动化设备中，2N7236常被用于传感器接口电路或执行器控制模块，承担信号放大或负载切换功能。由于其耐压较高且稳定性好，也可用于电池充电管理电路中，作为充放电通路的控制开关。在消费类电子产品中，如打印机、扫描仪、家用电器等，2N7236用于控制风扇、加热元件或其他机电组件。
　　此外，由于其TO-220封装易于安装和更换，2N7236在教学实验平台和原型开发中也被广泛采用，帮助学生和开发者理解MOSFET的工作原理及实际应用方法。在维修替换场景中，当原设备使用类似规格的MOSFET失效时，2N7236因其通用性强、供货稳定而成为常用替代型号之一。总体而言，尽管新一代MOSFET在性能上更具优势，但2N7236凭借其成熟的设计和广泛的应用基础，仍在多个行业中保持生命力。