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MKI50-12F7 发布时间 时间:2025/8/6 6:41:51 查看 阅读:29

MKI50-12F7是一款由MKE(Mitsubishi Electric)生产的功率模块,广泛应用于工业设备和电力电子系统中。该模块集成了多个功率器件,通常用于高频开关应用,如逆变器、整流器和功率因数校正(PFC)电路。MKI50-12F7的设计注重高效能和可靠性,适用于需要高功率密度和紧凑型封装的应用场景。

参数

类型:功率模块
  额定电流:50A
  额定电压:1200V
  封装类型:F7
  冷却方式:散热片安装
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  最大功耗:根据散热条件不同而变化
  封装材料:陶瓷基板
  绝缘电压:根据测试条件而定

特性

MKI50-12F7采用了先进的功率半导体技术,具备高效的导通和开关性能,适用于高频应用环境。模块内部集成了多个功率晶体管或二极管,并采用优化的布局设计以减少寄生电感和电磁干扰(EMI)。此外,该模块采用高热导率的陶瓷基板,提高了散热效率,确保在高温环境下依然保持稳定运行。
  其F7封装设计提供了良好的机械强度和电气绝缘性能,适用于需要高可靠性和长寿命的工业设备。模块的引脚布局经过优化,便于安装和散热设计,同时支持多种安装方式以适应不同的应用需求。此外,MKI50-12F7的电气参数经过严格测试,确保在复杂工况下依然保持优异的性能表现。

应用

MKI50-12F7广泛应用于工业自动化、电力转换系统、电机驱动器、不间断电源(UPS)、电焊设备以及新能源领域中的功率变换装置。由于其高功率密度和可靠的性能,该模块也适用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器和风力发电系统中的功率控制部分。在这些应用中,MKI50-12F7能够提供高效的能量转换和稳定的电气性能,满足对高可靠性和高效率的需求。

替代型号

SKM50GB12T4, FF50R12KS4

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MKI50-12F7参数

  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置全桥反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.8V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)65A
  • 电流 - 集电极截止(最大)700µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)3.3nF @ 25V
  • 功率 - 最大350W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E2
  • 供应商设备封装E2