SMS3924-005 时间：2025/8/22 9:47:21 阅读：9

SMS3924-005 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）设计制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。这款器件采用先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制等应用。SMS3924-005 采用紧凑的表面贴装封装，便于在空间受限的设计中使用，并具备良好的热管理性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：100A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：5.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：8.5mΩ
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

SMS3924-005 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用了先进的沟槽栅技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，例如电源管理、DC-DC转换器和负载开关。
　　该器件支持高达100A的连续漏极电流，在高功率需求的应用中具备出色的性能。同时，其最大栅源电压为±20V，允许在较宽的驱动电压范围内工作，增强了设计的灵活性。
　　由于其封装采用PowerFLAT 5x6形式，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。此外，SMS3924-005的工作温度范围广泛（-55°C至175°C），可在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
　　该MOSFET具有快速的开关特性，减少了开关损耗，从而提高了整体系统的能效。其低门极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）有助于实现高速开关操作，进一步提升动态性能。此外，器件内部结构优化，降低了寄生电感，提高了抗干扰能力，确保在高频工作下的稳定性。

应用

SMS3924-005 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：如同步降压转换器、升压转换器等，用于高效电源转换。
　　2. 电池管理系统：适用于高电流充放电控制，如电动工具、电动汽车和储能系统。
　　3. 负载开关：用于电源管理、热插拔控制和系统隔离。
　　4. 电机控制：如电动车辆、工业自动化和机器人系统中的电机驱动。
　　5. 服务器和通信设备：用于高效率电源模块和热插拔电源管理。
　　6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理电路。
　　7. 汽车电子：如车载充电系统、电动助力转向系统和车载娱乐系统等。
　　8. 工业电源：如UPS不间断电源、变频器和伺服驱动器。