半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)() 200mA
电压 - 集电极发射极击穿() 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度() 300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止() -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 10mA,1V
功率 - 350mW
频率 - 转换 300MHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23
包装 带卷 (TR)
贴片半导体三极管又称“贴片晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
(1) 用万用表电阻档测ICEO和β
基极开路,万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反),此时c、e间电阻值大则表明ICEO小,电阻值小则表明ICEO大。用手指代替基极电阻Rb,用上法测c、e间电阻,若阻值比基极开路时小得多则表明 β值大。
(2) 用万用表hFE档测β
有的万用表有hFE档,按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β,若β很小或为零,表明三极管己损坏,可用电阻档分别测两个PN结,确认是否有击穿或断路。
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