SED显示技术SED的基本显示原理同CRT相同，都是由电子撞击荧光材料而发光，但电子撞击的方式却不一样。CRT显像管是将一个电子枪射出的电子束在偏转线圈的强大磁场下偏离原来方向，依次去轰击荧光材料。而SED则是将涂有荧光材料的玻璃板与铺有大量微型电子发射器即电子枪的玻璃底板平行摆放，大量的微型电子发射器就像液晶或等离子显示器的像素一样。SED显示器的关键是微型电子发射器之间的缝隙，这个缝隙只有几纳米的宽度，在施加电压的情况下会产生隧道效应，从而使发射器发射电子，电子在电压的作用下撞击荧光材料从而发光。由于SED显示器不需要发射电子束，从而使厚度可以做得相当薄，目前公开的试验机型的厚度比液晶和等离子显示器都要薄。

　　（1）由电子撞击荧光粉发光，属于自发光器件，不存在液晶显示的可视角不够和响应时间过长的问题；

　　（2）发光完全可控，不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题，黑色表现力大大提高；

　　（3）发光效率可达5lm/W,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半；

　　（4）由于采用与普通电视显像管同样的高压荧光粉，可以达到优于PDP和LCD的色彩饱和度及锐利的图像；

　　（5）器件基本上是平面结构，可以完全采用印刷工艺生产，使生产成本可以做到大大低于PDP和LCD。

　　同样是利用带电粒子轰击荧光粉，但SED产生电子的原理与CRT显示器有很大的不同。CRT的电子枪通过加热金属阴极，使它具有表面活性，生成活泼电子，然后利用阳极把电子从阴极上拉出来，并利用偏转线圈让电子束在荧光屏的水平和垂直两个方向上同时进行扫描，生成一幅完整的画面。相比之下，SED不仅没有扫描装置，而且产生电子的方式也不同。SED屏幕上的每个像素内都有一个属于自己的电子发射装置（阴极），这个电子发射装置其实就是一个宽度约为5nm（纳米）的碳纳米间隙。由于间隙宽度极小，只要在间隙两端施加10伏特左右的电压便能产生电子流（这与闪存芯片中存储元的充放电原理相同，被称作“F-N隧道效应”）。此时，如果给金属背板（阳极）施加一个正电压，与阴极之间形成一个电场，电子流便会在电场力的作用下逃离间隙，奔向阳极，轰击荧光粉，发出荧光。

 　　具有CRT的画面质量和平板电视的厚度使得SED被认为最有可能成为下一代显示器。佳能和东芝投巨资组建SED公司也预示着SED的美好前景。两家公司希望在2005年SED产品的月生产量达到3000块，并在2008年时提高到180万块/年，到2010年达到300万块/年。2007年的收入预计可达到300亿日元，并在2010年提高到2000亿日元。DisplaySearch市场调查公司的调查预计，2008年平板显示器市场的收入将从2003年的427亿美元提高到972亿美元。尽管在理论和样机上SED表现出来的影像要比液晶和等离子更清晰，但目前还很难说SED已经完全达到了投产水平。而且液晶在中小尺寸市场、等离子在大尺寸市场上正在逐步稳固各自的地位。同时液晶与等离子的价格正在急速下降，SED能否得到普及，要看它是否有足够的能力与前两者相抗衡。

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