MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
●欠压闭锁功能
●自适应贯通保护功能
●自举电源电压至 114V
●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
●1.75A 峰值底端栅极上拉电流
●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
●宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V
●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
MOSFET 驱动器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。
与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是的，特别在很低的开关频率时。
2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。
高电平时和低电平时的静态功耗。
3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。
由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。
●分布式电源架构
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●高密度电源模块
●电信系统
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