半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级—施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为N型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

　　相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

　　不含杂质和缺陷的纯净半导体，其内部电子和空穴浓度相等，称为本征半导体。本征半导体不宜用于制作半导体器件，因其制成的器件性能很不稳定。反之，掺入一定量杂质的半导体称为杂质半导体或非本征半导体，这是实际用于制作半导体器件及集成电路的材料。

　　在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质，如硼（或铟）等，因硼原子只有三个价电子，它与周围硅原子组成共价键时，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下获得能量时，就有可能填补这个空位，使硼原子成为不能移动的负离子，而原来硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，半导体呈中性。

　　因为硼原子在硅晶体中能接受电子，故称硼为受主杂质或P型杂质。加入硅或锗的受主杂质除硼外尚有铟和铝。而加入砷化镓的受主原子包括元素周期表中的Ⅱ族元素（作为镓原子的受主）或Ⅳ族元素（作为砷原子的受主）。

　　P型半导体的共价键结构

　　值得注意的是，在产生空穴的同时，并不产生新的自由电子，只是原来的晶体本身仍会产生少量的电子—空穴对。控制掺入杂质的多少，便可控制空穴数量。在P型半导体中，空穴数远大于自由电子数，在这种半导体中，以空穴导电为主，因而空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。

　　仿效P型半导体，为在半导体内产生多余的电子，可以将一种叫做施主杂质或N型杂质掺入硅（或锗）的晶体内。施主原子在掺杂半导体的共价键结构中多余一个电子。在硅工艺中，典型的施主原子有磷、砷和锑。在砷化镓工艺中，所用的施主原子包括元素周期表中的Ⅵ族元素（这些元素作为砷原子的施主）或Ⅳ族元素（用作镓原子的施主）。当一个施主原子加入半导体后，其多余的电子易于受热激发而挣脱共价键的束缚而成为自由电子。自由电子参与传导电流，但它移动后，在施主原子的位置上留下一个固定的、不能移动的正离子，致使半导体仍保持中性。值得指出的是，在产生自由电子的同时，并不产生相应的空穴。正因为掺入施主原子的半导体而会有多余的自由电子，故称之为电子型半导体或N型半导体。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。