存储容量：
　　总容量：256Mb（32MB）。
　　组织结构：16M x 16 位。
　　时钟频率：
　　支持高达 166MHz 的时钟频率。
　　数据带宽：
　　提供高达 200M 字/秒的数据带宽。
　　电源电压：
　　核心电压：3.3V ± 0.3V。
　　封装形式：
　　TSOP II-54 封装，尺寸为 400 密耳（10.16mm 宽）。
　　工作温度范围：
　　商业级：0°C 至 70°C。
　　工业级：-40°C 至 85°C。
　　访问模式：
　　支持突发读取和单次写入模式。
　　突发长度：1、2、4、8 和整页。
　　CAS 延迟：
　　支持 CAS 延迟为 2 和 3。
　　刷新周期：
　　8K 刷新周期 / 64 毫秒。
　　接口标准：
　　LVTTL 接口。
　　自刷新模式：
　　支持标准和低功耗自刷新模式。
　　断电模式：
　　支持低功耗断电模式。
　　自动预充电：
　　内置自动预充电功能，简化设计复杂度。

嵌入式系统：用于微控制器或 DSP 的外部存储扩展。
　　工业控制：在 PLC、数控机床等工业设备中提供高速数据缓存。
　　消费电子产品：应用于数字电视、机顶盒、游戏机等需要高性能内存的设备。
　　通信设备：用于路由器、交换机等网络设备中的数据缓冲。

电源管理：确保供电电压稳定在 3.3V ± 0.3V 范围内，避免过压或欠压损坏芯片。
　　时序设计：注意时钟信号的完整性，确保信号上升沿和下降沿清晰。
　　散热设计：在高频率运行时，注意散热设计以避免过热。
　　刷新操作：正确配置刷新周期，确保数据不会因刷新失败而丢失。
　　兼容性：确保与主控芯片的接口协议兼容。

类似功能的 SDRAM 芯片：
　　IS42S16400J（ISSI）
　　AS4C16M16SA-7T（Adesto）
　　MT48LC16M16A2TG-75（Micron）