类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：HiPerFET?
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：240毫欧 19A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id) 25°C：28A
Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 8mA
闸电荷(Qg) Vgs：190nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：8340pF 25V
功率-最大：416W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS247?
包装：管件
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