类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：TrenchP
FET型：MOSFET P通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：65毫欧 500mA,10V
漏极至源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id) 25°C：44A
Id时的Vgs(th)（最大）：4V 250μA
闸电荷(Qg) Vgs：175nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：13400pF 25V
功率-最大：298W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P
包装：管件
工作温度:-55℃~150℃(TJ)
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