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IXTP2N100P
阅读:190时间:2024-09-06 14:42:56

技术参数

极性:N-CH
  耗散功率:86W(Tc)
  漏源极电压(Vds):1000 V
  连续漏极电流(Ids):2A
  上升时间:29 ns
  输入电容(Ciss):655pF 25V(Vds)
  下降时间:27 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):86W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

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