SuperFET?II MOSFET是飞兆半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，内部栅源ESD二极管允许承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。
类型。RDS（开启）=340 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg=43nC）
低电阻（典型值4.1 uJ 400 V）
低有效输出电容（典型Coss（eff.）=138 pF）
100%雪崩测试
符合RoHS标准
ESD改进能力
针脚数：3
漏源极电阻：0.34Ω
耗散功率：35.7 W
阈值电压：4.5 V
输入电容：1770 pF
漏源极电压(Vds)：800 V
上升时间：12 ns
输入电容(Ciss)：1770pF 100V(Vds)
下降时间：2.6 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：35700 mW
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220
长度：10.36 mm
宽度：4.9 mm
高度：16.07 mm
封装：TO-220
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：通信与网络,电源管理,照明,工业
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