该IGBT采用先进的PowerMESH?工艺,在开关性能和低导通状态行为之间实现了极好的权衡。
低导通电压降(VCE(sat))
低Cres/Cies比(无交叉传导敏感性)
短路耐受时间10μs
IGBT与超快续流二极管共封装
针脚数:3
耗散功率:32 W
击穿电压(集电极-发射极):600 V
反向恢复时间:31 ns
额定功率(Max):32 W
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):32000 mW
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
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