该器件是一种基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh?V功率MOSFET,与意法半导体著名的PowerMESH?水平布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻,这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的,使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
VDSS评级更高
更高的dv/dt能力
出色的切换性能
易于驾驶
100%雪崩测试
针脚数:3
漏源极电阻:0.033Ω
极性:N-Channel
耗散功率:400 W
阈值电压:4 V
漏源极电压(Vds):650 V
连续漏极电流(Ids):69A
上升时间:22 ns
输入电容(Ciss):9800pF 100V(Vds)
额定功率(Max):400 W
下降时间:20 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):400W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-247-3
长度:15.75 mm
宽度:5.15 mm
高度:20.15 mm
封装:TO-247-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
REACH SVHC标准:No SVHC
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
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