SuperMESH?系列是通过对ST成熟的条形PowerMESH?布局进行极端优化而获得的。除了显著降低电阻外,还特别注意确保在要求最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmesh?产品。
极高的dv/dt能力
100%雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
非常好的制造重复性
额定电压(DC):500 V
额定电流:14.0 A
通道数:1
漏源极电阻:380 mΩ
极性:N-Channel
耗散功率:150 W
漏源极电压(Vds):500 V
漏源击穿电压:500 V
栅源击穿电压:±30.0 V
连续漏极电流(Ids):6.00 A
上升时间:16 ns
输入电容(Ciss):2000pF 25V(Vds)
额定功率(Max):150 W
下降时间:12 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):150W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.4 mm
宽度:4.6 mm
高度:15.75 mm
封装:TO-220-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
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