这些超高压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh?K5技术设计。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
业界最低的RDS(on)
行业最佳业绩指标(FoM)
超低栅极电荷
100%雪崩测试
齐纳保护
通道数:1
针脚数:3
漏源极电阻:1.6Ω
极性:N-CH
耗散功率:110 W
阈值电压:4 V
漏源极电压(Vds):800 V
漏源击穿电压:800 V
连续漏极电流(Ids):4.5A
输入电容(Ciss):255pF 100V(Vds)
额定功率(Max):110 W
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):85W(Tc)
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:TO-252-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tape&Reel(TR)
维库电子通,电子知识,一查百通!
已收录词条47980个