这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面成熟DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
8.8A,250V,RDS(开启)=430m?(最大)VGS=10V,ID=4.4A
低栅极电荷(典型值26.5nC)
低铬(典型值45.5pF)
100%雪崩测试
漏源极电压(Vds):250V
上升时间:85ns
输入电容(Ciss):545pF25V(Vds)
额定功率(Max):38W
下降时间:65ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):38000mW
安装方式:ThroughHole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.16mm
宽度:4.7mm
高度:9.19mm
封装:TO-220-3
含铅标准:LeadFree
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
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