陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点，但陶瓷基片较脆，制成的基片面积较小，成本高。

　　按照陶瓷基片应用领域的不同，又分为HIC（混合集成电路）陶瓷基片、聚焦电位器陶瓷基片、激光加热定影陶瓷基片、片式电阻基片、网络电阻基片等；按加工方式的不同，陶瓷基片分为模压片、激光划线片两大类。

　　陶瓷基片是一种常用的电子封装基片材料，与塑 封料和金属基片相比，其优势在于以下几个方面：

　　1) 绝缘性能好，可靠性高。高电阻率是电子元件对基片 的最基本要求，一般而言，基片电阻越大，封装可靠 性越高，陶瓷材料一般都是共价键型化合物，其绝缘 性能较好。

　　2) 介电系数较小，高频特性好。陶瓷材料 的介电常数和介电损耗较低，可以减少信号延迟时间， 提高传输速度。

　　3) 热膨胀系数小，热失配率低。共价 键型化合物一般都具有高熔点特性，熔点越高，热膨 胀系数越小，故陶瓷材料的热膨胀系数一般较小。

　　4) 热导率高。根据传统的传热理论，立方晶系的BeO、 SiC 和AlN 等陶瓷材料，其理论热导率不亚于金属的。

　　因此，陶瓷基片材料被广泛应用于航空、航天和军事 工程的高可靠、高频、耐高温、强气密性的产品封装。 陶瓷基片材料的封装一般为多层陶瓷基片封装， 该技术源于1961 年PARK 发明的流延工艺，后来被 广泛地用于混合集成电路(HIC)和多芯片模件(MCM) 陶瓷封装。

　　从20 世纪60 年代至今，美国、日本等 发达国家相继推出叠片多层陶瓷基片封装材料和工 艺，陶瓷基片已经成为世界上广泛应用的几种高技术 陶瓷之一，而且日本是世界上的陶瓷基片生产国， 约占全球50[%]。目前，研究应用最成熟的陶瓷基片 材料是Al2O3 基片，它具有良好的电气性能和力学性 能。除了Al2O3 之外，还有A1N、BeO、Si3N4 和SiC 等。

　　随着微电子技术的进步，微加工工艺的特征线宽已达亚微米级，一块基板上可以集成106～109个以上元件，电路工作的速度越来越快、频率越来越高，这对基板材料的性能提出了更高的要求。作为混合集成电路（HIC）和多芯片组件（MCM）的关键材料之一，基板占其总成本的60％左右。陶瓷基板发展的总方向是低介电常数、高热导率和低成本化。

　　目前，实际生产和开发应用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫来石和玻璃陶瓷等。其中，BeO和SiC热导率很高（&sup3;250W/m.K），但BeO因具有毒性，应用范围小，故产量低；SiC因体积电阻较小（<1013W·cm）、介电常数较大（40）、介电损耗较高（50），不利于信号的传输，且成型工艺复杂、设备昂贵，故应用范围也很小；AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，但由于成本居高，一直没能大规模应用；Al2O3陶瓷基片虽然热导率不高（20W/m.K），但因其生产工艺相对简单，成本较低，价格便宜，成为目前最广泛应用的陶瓷基片。