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L6206QTR
阅读:107时间:2024-04-29 16:57:16

L6206QTR是DMOS双全桥驱动器,专为电机控制应用而设计,使用BCD多功率技术开发,该技术将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路结合在同一芯片上。L6206QTR采用VFQFPN48 7 x 7封装,具有热关机和高侧功率MOSFET上的非耗散过电流检测功能,以及可轻松用于实施过电流保护的诊断输出。

基础介绍

  厂商型号:L6206QTR

  品牌名称:ST(意法半导体)

  元件类别:栅极驱动IC

  封装规格:48-VFQFPN(7x7)

  型号介绍:DMOS双全桥驱动器

特点

  ●工作电源电压为8至52 V

  ●5.6 A输出峰值电流RDS(on)0.3W 类型。Tj=25°C时的值

  ●工作频率高达100 kHz

  ●可编程高压侧过电流检测 和保护

  ●诊断输出

  ●并联运行

  ●交叉传导保护

  ●热关断

  ●欠压锁定

  ●集成快速续流二极管

中文参数

商品分类栅极驱动IC品牌ST(意法半导体)
封装48-VFQFPN(7x7)包装圆盘
电压-供电8V~52V工作温度-25°C~125°C(TJ)
安装类型表面贴装型基本产品编号L6206
HTSUS8542.39.0001产品应用汽车级
输出配置半桥(4)应用DC电机,步进电机,稳压器
接口逻辑负载类型电感
技术BCDMOS导通电阻(典型值)280毫欧LS,340毫欧HS
电流-输出/通道2.5A电流-峰值输出5.6A
电压-负载8V~52V特性自举电路
故障保护限流,超温,UVLO

环境与出口分类

RoHS状态符合ROHS3规范湿气敏感性等级(MSL)3(168小时)
REACH状态非REACH产品ECCNEAR99

原理图

L6206QTR原理图

L6206QTR原理图

引脚

L6206QTR原理图

L6206QTR引脚图

封装

L6206QTR封装图

L6206QTR封装

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