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STM32F303VEH6
阅读:89时间:2024-04-18 17:54:08

STM32F303VEH6基于高性能ARM?Cortex?-M4 32位RISC内核,FPU工作频率为72 MHz,内置浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元(ETM)。包括高速嵌入式存储器(512 KB闪存、80 KB SRAM)、用于静态存储器(SRAM、PSRAM、NOR和NAND)的灵活存储器控制器(FSMC),以及连接到AHB和两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备。这些设备提供四个快速12位ADC(5 Msps)、七个比较器、四个运算放大器、两个DAC通道、一个低功耗RTC、多达五个通用16位定时器、一个通用32位定时器以及多达三个专用于电机控制的定时器。它们还具有标准和高级通信接口:最多三个I2C、最多四个SPI(两个SPI具有多路复用全双工I2S)、三个USART、最多两个UART、CAN和USB。为了实现音频级精度,可以通过外部PLL对I2S外围设备进行计时。

基础介绍

  厂商型号:STM32F303VEH6

  品牌名称:ST(意法半导体)

  元件类别:MCU

  封装规格:100-LQFP(14x14)

特点

  核心:ARMCortex-M4 32位CPU,72 MHz FPU,单周期乘法和HW部门,90 DMIPS(来自CCM),DSP指令和MPU(内存保护单元)

  操作条件:

  VDD、VDDA电压范围:2.0 V ~ 3.6 V

  记忆

  最多512kb的Flash内存

  64kbytes SRAM, HW奇偶校验在最初的32千字节上实现。

  常规助推:开启16kbytes的SRAM指令和数据总线,具有HW奇偶校验

  检查(CCM)

  FSMC (Flexible memory controller)

  静态内存,有四个芯片选择

  CRC计算单元

  重置和供应管理

  开机/关机复位(POR/PDR)

  可编程电压检测器(PVD)

  低功耗模式:睡眠,停止和

  备用

  VBAT供应RTC和备份寄存器

  时钟管理

  4至32兆赫的晶体振荡器

  校准的RTC 32khz振荡器

  内部8 MHz RC x 16锁相环选项

  内部40khz振荡器

  高达115个快速I/ o

  所有可映射到外部中断向量

  几个5v的耐受

  互连矩阵

  12通道DMA控制器

  4个adc 0.20μs(多达40个通道)可选分辨率12/10/8/6位,0到 3.6 V转换范围,独立模拟电源从2.0到3.6 V

中文参数

商品分类MCU微控制器I/O数86
品牌ST(意法半导体)程序存储容量512KB(512K x 8)
封装100-LQFP(14x14)程序存储器类型闪存
包装托盘RAM大小64K x 8
商品标签通用类MCU电压-供电(Vcc/Vdd)2V ~ 3.6V
核心处理器ARM Cortex-M4数据转换器A/D 17x12b; D/A 1x12b
内核规格32-位振荡器类型内部
速度72MHz工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
连接能力CANbus,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB安装类型表面贴装型
外设DMA,I2S,POR,PWM,WDT基本产品编号STM32F302

环境与出口分类

湿气敏感性等级(MSL)3(168 小时)RoHS状态符合 ROHS3 规范
ECCN3A991A2REACH状态非 REACH 产品
HTSUS8542.31.0001


原理图

STM32F303VEH6原理图

STM32F303VEH6原理图

引脚

STM32F303VEH6原理图

STM32F303VEH6引脚图

封装

STM32F303VEH6封装图

STM32F303VEH6封装

丝印

STM32F303VEH6丝印图

STM32F303VEH6丝印

料号解释

STM32F303VEH6料号解释图

STM32F303VEH6料号解释

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