UCC27211AQDDARQ1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有20V的最大额定值。
UCC27211AQDDARQ1的开关节点(HS引脚)最高可处理–18V电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211AQDDARQ1已经增加了滞后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。
低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。
· 适用于汽车电子 应用
· 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
o 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围
o 器件人体放电模式 (HBM) 分类等级 2
o 器件组件充电模式 (CDM) 分类等级 C6
· 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
· 最大引导电压 120V 直流
· 4A 吸收，4A 源输出电流
· 0.9Ω 上拉和下拉电阻
· 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关
· TTL 兼容输入
· 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)
· 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载时)
· 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
· 4ns 延迟匹配
· 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
· 采用行业标准 SO-PowerPAD SOIC-8 封装
· -40℃ 至 +140°C 的额定温度范围
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | TI(德州仪器) |
| 封装 | 8-SOIC | 包装 | 整包装 |
| 电压-供电 | 8V~17V | 工作温度 | -40°C~140°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | UCC27211 |
| HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL，VIH | 1.3V，2.7V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 4A，4A | 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 7.2ns，5.5ns | 高压侧电压-最大值（自举） | 120V |
| 产品应用 | 汽车级 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） |
| REACH状态 | 非REACH产品 | ECCN | EAR99 |
UCC27211D原理图
UCC27211D引脚图
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