2ED2181S06F是一种高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术，在VS引脚(VCC = 15 V)的瞬态电压下，具有优异的坚固性和抗噪性，能够在负电压高达- 11 VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET, SiC MOSFET或IGBT，其工作电压可达650v。
工作电压(VS节点)高达 + 650 V
VS负瞬态抗扰 100 V
集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本
浮动通道，用于自举操作
最大电源电压：25 V
两个通道均具有独立的欠压锁定(UVLO)
传播延时：200 ns
HIN, LIN输入逻辑
VS引脚的逻辑操作高达–11 V
输入负电压容差：–5 V
浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT
电动工具
电机控制和驱动-英飞凌(Infineon)官网
电源
家用电器
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌） |
| 封装 | DSO-8 | 包装 | 圆盘 |
2ED2181S06F原理图
2ED2181S06F引脚图
2ED2181S06F封装
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