离子敏场效应晶体管是一种基于场效应原理的离子浓度测量传感器，其核心部分是一个MOSFET晶体管。与普通的MOSFET不同的是，在ISFET中引入了灵敏膜，该膜具有选择性地响应于特定离子，并将其浓度转换成表面电荷变化，进而影响晶体管的通断状态，由此实现对离子浓度的测量。

离子敏场效应晶体管由四部分组成：灵敏膜、引线、MOSFET晶体管以及基板。其中，灵敏膜被涂覆在MOSFET上，用于响应特定离子，并将其浓度转化为表面电荷密度变化。引线连接MOSFET与外部电路，传递电荷信息。晶体管本身由控制栅、源和漏极三部分组成，通常采用硅材料基底，控制栅和源漏极之间被氧化物隔开。

根据灵敏膜的不同选择性，离子敏场效应晶体管可分为氢离子敏感场效应晶体管（pH-ISFET）、钾离子敏感场效应晶体管（K-ISFET）等。此外，在工业生产应用中，还可以将ISFET与流动注入分析法（FIA）相结合，构建出一种自动快速分析系统，以实现对离子浓度等参数的在线监测。

离子敏场效应晶体管可以广泛应用于生物医学、环境监测、食品卫生等领域。例如在生物医学中，通过对血液pH值、药物治疗浓度等参数的监测，能够实现对各种疾病的诊断和治疗；在环境监测中，则可用于检测水质污染、土壤污染等；同时，在食品行业中，ISFET也可以被用于酸碱度检测和添加剂浓度检测。