MMSZ27T1G技术参数
齐纳击穿电压Vz最小值(V)：25.650
齐纳击穿电压Vz典型值(V)：27
齐纳击穿电压Vz最大值(V)：28.350
@Izt(mA)：5
齐纳阻抗Zzt(Ω)：80
最大功率PMax(W)：0.500
芯片标识：Y1
封装/温度(℃)：SOD123/-55~150
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