MMBZ5234BLT1G技术资料
齐纳击穿电压Vz最小值(V)：5.890
齐纳击穿电压Vz典型值(V)：6.200
齐纳击穿电压Vz最大值(V)：6.510
@Izt(mA)：20
齐纳阻抗Zzt(Ω)：7
最大功率PMax(W)：0.225
芯片标识：8J
封装/温度(℃)：3SOT-23/-65~150
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