STM32F429ZGT6器件基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核,工作频率高达180 MHz。 Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元(MPU),可增强应用程序的安全性。
STM32F429ZGT6器件集成了高速嵌入式存储器(闪存高达2 Mbyte,高达256 KB的SRAM),高达4 KB的备份SRAM,以及连接到两个APB的各种增强型I / O和外设总线,两条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
所有器件均提供三个12位ADC,两个DAC,一个低功耗RTC,十二个通用16位定时器,包括两个用于电机控制的PWM定时器,两个通用32位定时器。它们还具有标准和高级通信接口。
产品分类:32位MCU微控制器 单片机/ARM/DSP
CPU内核:ARM?Cortex?-M4
核心尺寸:32-位
主频速度(Max):180MHz
连接性:CAN,EBI/EMI,I?C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USBOTG
外设:欠压检测/复位,DMA,I?S,LCD,POR,PWM,WDT
I/O口总数:114
程序空间容量:1MB(1Mx8)
程序空间类型:闪存
EEPROM容量:None
内存RAM容量:256Kx8
工作电压(范围):1.8V~3.6V
工作温度:-40°C~85°C(TA)
封装/外壳:144-LQFP
核心:带有FPU的Arm?32位Cortex?-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从闪存执行0等待状态,频率高达180 MHz,MPU,225 DMIPS / 1.25 DMIPS / MHz (Dhrystone 2.1)和DSP指令
高达2 MB的闪存被组织成两个存储区,允许读写时
高达256 + 4 KB的SRAM,包括64 KB的CCM(核心耦合存储器)数据RAM
灵活的外部存储器控制器,具有高达32位的数据总线:SRAM,PSRAM,SDRAM / LPSDR SDRAM,紧凑型闪存/ NOR / NAND存储器
LCD并行接口,8080/6800模式
LCD-TFT控制器,具有完全可编程的分辨率(总宽度高达4096像素,总高度高达2048线,像素时钟高达83 MHz)
Chrom-ART Accelerator?用于增强图形内容创建(DMA2D)
时钟,复位和电源管理
1.7 V至3.6 V应用电源和I / O.
POR,PDR,PVD和BOR
4至26 MHz晶体振荡器
内部16 MHz工厂调整RC(1%精度)
用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能
内部32 kHz RC,带校准
睡眠,停止和待机模式
VBAT提供RTC,20×32位备份寄存器+可选4 KB备份SRAM
3×12位,2.4 MSPS ADC:三重交错模式下最多24个通道和7.2 MSPS
2×12位D / A转换器
通用DMA:具有FIFO和突发支持的16流DMA控制器
最多17个定时器:最多12个16位和2个32位定时器,最高180 MHz,每个定时器最多4个IC / OC / PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入
调试模式:STM32F429ZGT6
SWD和JTAG接口
Cortex-M4 Trace Macrocell?
最多168个具有中断功能的I / O端口
最多164个快速I / O,最高可达90 MHz
最多166个5 V容差I / O.
最多21个通信接口
最多3个I2C接口(SMBus / PMBus)
最多4个USART / 4个UART(11.25 Mbit / s,ISO7816接口,LIN,IrDA,调制解调器控制)
最多6个SPI(45 Mbits / s),2个具有多路复用全双工I2S,通过内部音频PLL或外部时钟实现音频级精度
1个SAI(串行音频接口)
2×CAN(2.0B有源)和SDIO接口
高级连接
具有片上PHY的USB 2.0全速设备/主机/ OTG控制器
USB 2.0高速/全速设备/主机/ OTG控制器,带有专用DMA,片上全速PHY和ULPI
具有专用DMA的10/100以太网MAC:支持IEEE 1588v2硬件,MII / RMII
8至14位并行相机接口,最高54 MB / s
真随机数发生器
CRC计算单元
RTC:亚秒级精度,硬件日历
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