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n沟道mos管
阅读:2841时间:2021-06-22 10:09:20

N沟MOS晶体管是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)的一种,结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。

特点

 产品组合包括-100~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1700 V的IGBT、以及15~1700 V功率双极晶体管。由于改进了功率电子系统的热设计,意法半导体的碳化硅(SiC)MOSFET具有业界最高的200 °C额定结温,电压范围从650至1700 V,确保良好的稳定性。此外,我们的硅基氮化镓(GaN/Si)晶体管可实现最高效率和最大功率密度,因为其具有特殊的动态导通状态电阻和微小电容(100和650 V)。

应用

制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。

结构

 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

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