1、采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧写，烧写过程实时校验写入数据，绝对保证数据的正确;

2、支持多种软硬件平台的NAND Flash数据烧写，内置针对多种软硬件平台的量身定做的坏块管理及烧写方式，极大的提高烧录良品率。

3、烧录速度快，512Byte小页面Flash速度约1、8MB/秒(带校验)，2048Byte以上大页面SLC架构Flash编程速度约3MB/秒(带校验)，2048Byte以上大页面MLC架构Flash编程速度约2、5MB/秒(数据全部比对校验)。

4、标配4、3寸超大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程;

5、支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧写方式：

(1)母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;

(2)文件方式烧写:用户可将指定文件置于SD卡或烧写器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式(可支持特殊文件系统)写入Flash;

6、可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作：

(1)对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间;

(2)可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布;

(3)可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕;

(4)可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况;

(5)可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同;

7、可根据用户的特殊要求快速修改软件，按你的特殊要求量身定做烧录方式(坏块管理方式)，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统的管理。

支持的Flash列表(TSOP、8BIT、3.3V),以下仅仅列出部分型号，实际支持的型号会多得多：

1,SAMSUNG:

K9F6408U0*,K9F2808U0*,K9F5608U0*,K9F1208U0*,K9F1G08U0*,K9F2G08U0*, K9K2G08U0*,K9F4G08U0*,K9G4G08U0*,K9K4G08U0*,K9F8G08U0*,K9K8G08U0*,

K9G8G08U0*,K9WAG08U0*,K9GAG08U0*,K9GBG08U0*,K9LAG08U0*,K9W8G08U0*,K9LBG08U0*,K9HCG08U0,……..

2,HYNIX:

HY27US0856*,HY27US08121*,HY27UA081G*,HY27UF081G*,HY27UF082G*,HY27UF084G*,HY27US081G*,HY27UVB081G2*,HY27UVB084G2*,HY27UVB084G1*,

HY27UVB082G1*,HY27UF081G2*,HY27VB082G4*,HY27UA081G1*,HY27UU088G5*,HY27UT084G2*,HY27UF084G2*,HY27UF088G*,HY27UU08AG2*,H27UAG8T2*,

HY27UF088G*,HY27UBG8U*,HY27UBG8T2,…….

3,TOSHIBA：

TC58V64BFT*,TC58128*,TC58256* ,TC58512FT* ,TC58DVG02A1FT* ,TC58NVG0S3* ,TC58NVG0D3BTG*,TC58NVG0S3ETA*,TC58NVG1S3ETA00* ,TC58NVG1S3ETA*,

TC58NVG1S3BFT*,TC58DVG14B1FT00*,TC58NVG1D4BTG00*,TC58NVG2D4BFT00*,TH58NVG2S3BFT*,TC58NVG3S0ETA*,TC58NVG3D1DTG00*,TC58NVG3D1DTG00*,

TH58NVG3D4BTG00*,TH58NVG3D4BTG01*,TC58NVG4D1DTG00*,TH58NVG5D1DTG20*,TC58NVG4D2ETA00*,TC58NVG4D2FTA*,TC58NVG4D2FTA*,TH58NVG5D2ETA20*,

TH58NVG7D2ELA89*,TH58NVG4D4CTG00*,TH58NVG5D4CTG20*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D1DT*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D2ETA*,TH58NVG7D2ELA*,TH58NVG7D2ELA*,

4,ST:

NAND128W3A2A*,NAND253W3ABN*,NAND512W3A2C*,NAND01GW3A*,NAND01GW3B*,NAND02GW3B*,NAND04GW3B2B*,NAND04GW3C2A* …NAND04GW3B2D*,NAND08GW3B2C*,

NAND16GW3D2A*,NAND32GW3D2A*……..

5,MICRON:

MT29F1G08AB*,MT29F2G08AA*,MT29F2G08AAC*,MT29F4G08*,MT29F8G08MAA*,MT29F8G08AAA*,MT29F8G08AB*,MT29F8G08AB*,MT29F16G08FAA*,MT29F16G08MAA*,

MT29F32G08QAA*,MT29F16G08CBA*,MT29F16G08CBACA*,MT29F16G08CBB*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CBABA*,29F64G08CJA*,29F128G08CJA*,

MT29F4G08CF*,MT29F4G08CF*,MT29F64G08CJ*,MT29F128G08CJ*,MT29F256G08CJ*,MT29F64G08CB*……..

6,INTEL:

JS29F02G08AANA2,JS29F04G08BANA2,JS29F08G08FANA2,JS29F02G08AANB3,JS29F04G08BANB3,JS29F08G08FANB3,JS29F04G08AANB1,JS29F08G08CANB1,JS29F16G08FANB1……

7,(FBGA107、FBGA63、8BIT、3.3V/2.5V/1.8V)

H8ACU0CE0BBR,HYD0SEE0MF2P,K5D12571CM......

8,LGA封装：

K9LCG08U1A、K9PFG08U5A、K9PFG08U5M、K9HDG08U5M、K9HDG08U5A、TH58NVG8D2ELA89、TH58NVG8D2FLA89、TH58NVG7D2ELA89、TH58NVG7D2FLA89、SanDisk_05000-016G、

SanDisk_05105-032G....等等...

注：和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用，如Micron，Intel，Spectek，ST，Toshiba，Infineon，Scandisk，Actrans，Renesas，型号太多，未能一一列出，艾普科技将会不间断增加支持的Flash型号，其它封装的Flash可定做转换座。艾普科技将与您一起，共同努力解决NAND Flash应用上的所有烦扰问题。