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3D内存芯片
阅读:3067时间:2018-04-04 17:40:42

3D内存芯片(Hybrid Memory Cube(HMC)),又名混合立方内存芯片,由美光公司提出,这种混合立体内存与CPU的数据传输速度将是现阶段内存技术的10倍以上,以便适应高速发展的处理器和宽带网络。

研发

  在2011年6月,三星和美光牵头,联合了Altera、Open Silicon、Xilinx等,成立了Hybrid Memory Cube Consofrtin(混合立方内存芯片联盟)。旨在通过多方的合作,将新的内存技术混合立方内存芯片推向市场。
  随后,IBM、Microsoft、惠普、ARM、海力士相继加入75名预期将成为联盟应用者的成员。HMCC现已对超过90家表示兴趣的潜在应用者成员进行了答复。
  HMCC开发团队计划向越来越多加入该联盟的“应用者”提交一份接口规范草案。随后,融合了开发者和应用者的团队将推敲该草案并在2012年底发布该接口规范的定稿。

效能

  由于在存储芯片堆叠时使用了IBM的TSV(through-silicon via;过孔硅)技术,相同面积的芯片将获得10倍于传统芯片的存储容量。与此同时,由于采用了某些内建机制,传输数据消耗的能量将减少70%,传输速度也将提升到标准DDR3芯片的15倍左右。现有产品原型的带宽就已高达128GB/s,为高端DDR3闪存传输速度的10倍,最终成品还会更高。

市场

  HMC的特性将为各种广泛的应用提供高性能的存储解决方案,应用范围从工业产品到高性能计算和大规模网络。 根据官方解释,HMC内存最初将定位于工业企业服务器市场,但随着技术的发展和成本的降低终将进入消费级市场[。

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