锗二极管（DO-7玻璃封装）

    1N60P（2-1K60）VR：40V，Cj：1pF；

    1N60（1K60）VR：40V，Cj：1pF；

    1N34A（1K34A）VR：40V，Cj：1pF。

    主要用于：计算器，收音机，电视机等检波电路。

    锗二极管压降一般都在0.2v~0.4v。

    由两种二极管的特性曲线可以看出：

    1、锗二极管正向在0.1V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，就是开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大；

    2、开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快；

    以上两点也可以总结为，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向电压小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

    正向导通：如果给二极管正极的电压高于负极电压（正向偏置电压），只要正极电压达到一定的值，二极管导通，导通后二极管相当于一个导体，二极管的两引脚之间的电阻很小，相当于接通。电流流动方向是从正极流向负极，电流不能从负极流向正极，否则二极管已损坏。

    反向截止：如果给二极管正极加的电压低于负极电压（反向偏置电压），二极管处于截止状态，二极管两引脚之间电阻很大，相当于开路。只要是反向电压，二极管中就没有电流流动，如果加的反向电压太大，二极管会击穿，电流从负极流向正极，说明二极管损坏。

    稳压二极管具有反向击穿的特性，快恢复二极管相当于两个稳压二极管。