IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
IRF640，采用TO-220AB 封装方式。
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 值:18A
电压, Vds :200V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs :4V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:18A
电流, Idm 脉冲:72A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th :4V
贴片安装 IRF640S
可选卷带包装 IRF640S
低端通孔安装 IRF640L
动态dv/dt率
150℃工作温度 IRF640S、IRF640L
快速转换速率
可恢复性雪崩测定
并行简易
仅需简单驱动
无铅环保
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