光电晶体一般在基极开放状态使用(外部导线有两条线的情形比较多)，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。在此状态下，光线入射于基极之表面时，受到逆偏压之基极、集极间即有光电流(Iλ)流过，射极接地之电晶体的情形也一样，电流以电晶体之电流放大率(hfe)被放大而成为流至外部端子之光电流(Ic)，电流再经过次段之电晶体的电流放大率被放大，其结果流至外部导线之光电流即为初段之基极、集极间所流过之光电流与初段及后段之电晶体的电流放大率三者之积。

　　可以区分为罐封闭型与树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方言之，材料有硅(Si)与锗(Ge)，大部份为硅。在晶方构造方面，可分为普通电晶体型与达灵顿电晶体型。再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光电晶体与需要直线性之光电晶体，但光电晶体的主流为交换元件，需要直线性时，通常使用光电二极体。

　　物体的检知
　　以光学方式检知物体或符号之有无，并将其变换成电气信号时，其后之处理比较容易，这种情形在日常生活之中很多，光电晶体的个用途就是这一方面。
　　电路的耦合
　　利用光使两个电气电路耦合时，由于系处于电气的绝缘状态，故电路的构成比较容易。目前为达成此目的，使用发光部及受光部成一体的光耦合元件的情形比较多，而在需要考虑距离因素时，一般使用发光二极体或光二极体。
　　光的通讯
　　工地现场或爬山时之连络等短距离的通讯，可以施行调变发光二极体之光，而利用光电晶体接收此调变后之光的光通讯动作。因此不必担心受到窃听，也不必申请像无线电收发两用机那样的使用执照。