MBR10150肖特基二极管制造采用的主要工艺技术包括：硅外延衬底，P +环技术，潜在的金属和硅合金技术，器件采用两个芯片，共阴极，塑料半封装结构。
使用具有耐高温操作金属的难熔金属的肖特基势垒原理，专有技术壁垒允许可靠的操作高达175℃结温。典型的应用是开关模式电源适配器等，DC /直流转换器，免费续流保护二极管的极性.
金属半导体结与保护环
低正向压降
高电流能力
塑料材料进行UL认证94V-0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
案例：TO-220AB模压塑料
极性：颜色频带为负极
重量：1.948克
安装位置：任意
低电压高频率开关电源。
低电压高频Invers公司电路。
低电压持续的电路和保护电路
在25̺环境温度，除非另有规定额定值。
单相半波，60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20％
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