晶体管由两个PN结构成，PN结是由两种不同导电类型半导体材料组成，即P型材料(POSITIVE，导电载流子为空穴)和N型材料(NEGATIVE，导电载流子为电子) 。三极管按极性分NPN和PNP型：

　　按功能和用途分类

　　晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

　　按半导体材料和极性分类

　　按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

　　按结构及制造工艺分类

　　晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。

　　按电流容量分类

　　晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。

　　按工作频率分类

　　晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。

　　按封装结构分类

　　晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。

　　PC 指集电极允许耗散功率，使用时不能超过此功率，

　　IC 指集电极允许直流电流

　　IB 指基极允许直流电流

　　Tj  结温度，指PN结温度

　　VCEO（集电极—发射极击穿电压）基极开路，C、E之间的反向击穿电压。

　　VCBO（集电极—基极击穿电压）发射极开路，C、B之间的反向击穿电压。

　　VEBO（发射极—基极击穿电压）集电极开路，E、B之间的反向击穿电压。

　　HFE(共发射极正向电流传输比)：在共发射极电路中，输出电压保持不变时，直流输出电流与直流输入电流之比。

　　ICBO（集电极—基极截止电流）：当发射极开路时，在规定的集电极—基极电压下，流过集电极—基极结的反向电流。

　　IEBO（发射极—基极截止电流）：当集电极开路时，在规定的发射极—基极电压下，流过发射极—基极结的反向电流。

　　VCE（SAT）（集电极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，集电极端子与发射极端子之间的电压

　　VBE（SAT）（基极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，基极端子与发射极端子之间的电压

　　VBE（基极—发射极电压）：在规定的VCE、IC的条件下，晶体管的基极—发射极正向电压。

　　fT（特征频率）：共发射极小信号正向电流传输比的模数下降到1时的频率

　　Cob（共基极输出电容）：在共基极电路中，输入交流开路时的输出电容。

　　晶体管损坏原因

　　（1）电路中的电压、电流、输出功率　过载引起损坏在晶体管电路中主要与集电极－发射极间的电压VCC、集电极－基极VCB与晶体管固有的特性参数(如VCBO、VCEO、ICBO、ICEO、PCM)及工作条件有关。如果电路中晶体管的集电极VCEO电压超过了值，就会造成晶体管的损坏。

　　（2）热损坏　在晶体管手册中一般所指的电压，通常是常温(25℃)下的值。因此，在环境温度较高或在结温下使用时，晶体管工作的实际电压将小于常温时的值，此时晶体管的ICBO和IEBO也会增加，造成结温上升，而结温升高又会使ICBO和IEBO更进一步增大而形成雪崩现象，结果热击穿而损坏。

　　（3）二次击穿引起的损坏　在晶体管电路中，当集电极电压升高时首先会出现一次击穿，使IC急剧增加。当其电压增加到某一临界值后压降会突然降低，形成很大的过电流，造成二次击穿而损坏。

　　（4）外界环境变化引起的损坏　外界环境变化是指机械振动、外力冲击、潮湿、化学物品的侵蚀等外界因素造成的损坏。

　　用于开关线路，则偏向选用电流比较大，饱和压降小的管，对管的耐压要求可适当放宽。因为耐压和电流是一对互相矛盾的参数，要两全其美的话必然增加成本。为了能进入饱和状态，避免出现关不断的情况，除了选好管之外，对线路偏置很重要。通常在IC保持不变情况下增大IB的电流，或IB保持不变情况下减小IC电流。

　　用于高压电路，主要考虑漏电流要小，热稳定性要好，避免击穿电压有软特性、蠕变情况。能加保护电路。

　　用于普通放大，主要考虑HFE输出的线性要好，工作区宽，静态工作点选择HFE的测试条件，即HFE分档的测试条件。

　　用于高频线路，主要考虑是fT参数，而且要跟线路板相匹配，PCB板上的电容、电感都回影响其使用。

　　用于功率放大，主要考虑其功率的承受范围，管装上后管体发热情况怎样，周围环境温度如何，散热通风是否良好。PCM=TJM-TA/RT

　　PC（T）=PCM（TJM-T/TJM-TA）