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IC电容器
阅读:425时间:2019-05-10 17:42:15

    IC电容器,分为MOS电容器和p-n结电容器,应用于集成电路

目录

简介

    集成电路(IC)中采用的电容器基本上有两种:MOS电容器和p-n结电容器。
    MOS电容器的一个极板是衬底上的重掺杂区[如发射区],另一个极板是顶层的金属膜,中间可用热生长的SiO2膜作为介质层;MOS电容器的电容量与介质层的介电常数成正比,为了增大电容量,希望采用较大介电常数的介质材料[SiO2、Si3N4和Ta2O5的介电常数分别为3.9、8和22];MOS电容器的电容量基本上与电压无关,并且其串联电阻小,又几乎不存在漏电流。
    p-n结电容器一般采用n+-p型式,并且需要加反向偏压(以防pn正偏而漏电),则其电容量与电压有关;而且电容量通常不能制作得很大,其串联电阻也要比MOS电容器的大得多。

电容器

    电容器,通常简称其容纳电荷的本领为电容,用字母C表示。定义1:电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。英文名称:capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。
    电容与电容器不同。电容为基本物理量,符号C,单位为F(法拉)。
    通用公式C=Q/U平行板电容器专用公式:板间电场强度E=U/d ,电容器电容决定式 C=εS/4πkd
    随着电子信息技术的日新月异,数码电子产品的更新换代速度越来越快,以平板电视(LCD和PDP)、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长,带动了电容器产业增长。

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