类型：P沟道，增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：-12V
　　连续漏极电流（ID）：-500mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1A
　　导通电阻（RDS(on)）：450mΩ（@ VGS = -4.5V）；600mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -1.8V
　　输入电容（Ciss）：90pF（@ VDS = 10V）
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关闭时间（Toff）：约20ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-70）

ZXTR2012Z-7采用先进的沟道MOSFET制造工艺，具有优异的电气性能和热稳定性。其最大漏源电压为-20V，适用于低电压电源系统中的开关控制。该器件在-4.5V栅极驱动电压下可实现低至450mΩ的导通电阻，显著减少导通损耗，提高能效。即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，仍能保持良好的导通性能，确保在电池供电等电压波动较大的应用中稳定工作。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-1.8V，使其能够在低电压逻辑信号下可靠开启，兼容3.3V或更低电压的数字控制系统。输入电容仅为90pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动功率需求和快速响应能力，有助于提升整体系统的动态响应速度。
　　ZXTR2012Z-7内部集成两个完全独立的P沟道MOSFET，允许用户灵活配置为双路独立开关或用于H桥、电平转换等拓扑结构。每个通道均可承受-500mA的连续漏极电流，在瞬态负载下支持高达-1A的脉冲电流，具备较强的负载驱动能力。
　　该器件的工作结温可达+150°C，并具备良好的热关断保护特性，能够在高温环境下安全运行。同时，其封装设计优化了散热路径，提升了功率密度。SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，适合高密度印刷电路板设计。
　　此外，ZXTR2012Z-7通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置和温度循环等，确保长期使用的稳定性与耐久性。其内置的栅氧层具备良好的抗ESD能力，增强了器件在生产、运输和使用过程中的鲁棒性。

ZXTR2012Z-7广泛应用于各类便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，主要用于电池供电系统的电源切换、负载开关控制和上电时序管理。其低导通电阻和小封装尺寸特别适合用于防止电池反接或实现多电源路径选择。
　　在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器的同步整流或作为高端开关，配合控制器实现高效的电压调节。由于其快速开关特性，也可用于脉宽调制（PWM）信号的传输与隔离，提升电源响应速度。
　　在信号路由应用中，ZXTR2012Z-7可用于模拟开关或数字信号切换，实现多路复用功能。其低泄漏电流和高关断阻抗保证了信号完整性，避免串扰和干扰。
　　此外，该器件还可用于电机驱动电路中的H桥低端开关、继电器替代方案以及LED背光驱动中的电流控制。其双通道结构使得设计者可以在单个封装内实现两个独立功能，简化电路布局并降低成本。
　　工业控制和通信模块中也常见该器件的身影，用于隔离不同电压域之间的信号传输，或作为热插拔电路中的保护开关，防止浪涌电流损坏主系统。其高可靠性与宽温度范围适应性使其能在严苛环境中稳定运行。

DMG2305UX-7
　　Si2301DS-S16-7
　　FMMT403TA