时间：2025/6/19 18:12:31
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ZVP2106GTC是一款N沟道增强型垂直DMOS功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用TO-252表面贴装封装，具备高电流承载能力和低导通电阻的特性，适合在中小功率应用中实现高效的电能转换。
型号：ZVP2106GTC
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-252
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6.8A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：1.4W
工作温度范围：-55°C至+150°C
ZVP2106GTC具有以下主要特性：
1. 高效率：得益于其低导通电阻设计，可以显著降低功率损耗。
2. 快速开关性能：该器件的输入电容和输出电荷较低，确保了快速的开关速度，非常适合高频应用。
3. 热稳定性：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
4. 小尺寸封装：TO-252封装使其易于安装在紧凑型PCB设计中。
5. 高可靠性：经过严格的制造工艺控制和测试，保证长期使用的可靠性。
此外，该器件还具有较强的抗静电能力（ESD保护），从而减少了因静电导致的损坏风险。
ZVP2106GTC适用于以下领域：
1. 开关电源：包括降压、升压和反激式转换器。
2. 电机驱动：用于小型直流无刷电机或步进电机的驱动电路。
3. 负载开关：如电池管理系统中的负载切换。
4. LED驱动：用于高亮度LED照明应用中的恒流驱动。
5. 过流保护：作为电子保险丝使用，提供过流保护功能。
6. 其他需要高效功率控制的应用场景，例如汽车电子和消费类电子产品。
ZVN2106A, ZVP2106FTA
