时间：2025/12/28 14:59:09
阅读：26
KTC3880S-O-RTK 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种功率电子系统中。KTC3880S-O-RTK 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和电气性能，适合表面贴装工艺。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：约 3.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装：TO-252（DPAK）
KTC3880S-O-RTK 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。其高电流承载能力使其适用于高功率应用，例如服务器电源、通信设备电源、电池管理系统和电机控制器。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动，使其兼容多种栅极驱动电路，包括低电压控制 IC。此外，TO-252 封装提供了良好的热性能，能够有效地将热量传导到 PCB 板上，从而提高器件的可靠性和稳定性。该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态条件下提供额外的安全保障。KTC3880S-O-RTK 的设计还考虑了短路和过热保护，进一步增强了其在严苛环境下的耐用性。
KTC3880S-O-RTK 常用于需要高效率和高功率密度的场合，如服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电机驱动器以及各种工业控制设备。此外，该器件也适用于需要高电流开关能力的负载开关电路和功率因数校正（PFC）电路。
Si7483BDN-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, FDS6680, NVTFS5C429NLWFTAG
