时间：2025/12/26 8:34:26
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ZXTP2013GTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装。该器件专为高密度电源管理应用设计，适用于需要低功耗和高效能开关操作的便携式电子设备。ZXTP2013GTA具有低栅极电荷、低输入电容和快速开关特性，使其在负载开关、电源切换、电池供电系统以及DC-DC转换器等应用中表现出色。其P沟道结构允许在高端或低端开关配置中使用，无需复杂的驱动电路，从而简化了系统设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内稳定运行。由于其小型化封装和高性能参数，ZXTP2013GTA广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他空间受限的电子产品中作为理想的功率开关解决方案。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：-20V
连续漏极电流（ID）：-1.8A
脉冲漏极电流（IDM）：-4.6A
栅源电压（VGS）：±12V
功率耗散（PD）：300mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：45 mΩ
导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：65 mΩ
导通电阻RDS(on) @ VGS = -1.8V：90 mΩ
阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：230 pF
输出电容（Coss）：120 pF
反向传输电容（Crss）：25 pF
开启延迟时间（td(on)）：6 ns
关断延迟时间（td(off)）：17 ns
ZXTP2013GTA的电气与热性能特性使其成为现代低电压、低功耗电源管理系统中的理想选择。该器件的最大漏源电压为-20V，能够安全地用于2V至5V的电源轨切换应用中，适用于多种常见的低压逻辑系统。其连续漏极电流可达-1.8A，在PCB布局良好且散热条件适宜的情况下可支持瞬态大电流操作。更重要的是，该MOSFET在不同栅源电压下展现出优异的导通电阻表现：当VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为45mΩ；即使在较低的驱动电压如-2.5V或-1.8V下，仍能保持较低的导通损耗，分别为65mΩ和90mΩ，这使得它非常适合由电池直接驱动或受逻辑电平控制的应用场景。
该器件具有较低的栅极电荷（典型Qg = 3.5nC），有助于减少驱动电路的能量消耗并提高整体系统的转换效率。同时，其输入电容（Ciss）为230pF，配合快速的开关响应时间（开启延迟约6ns，关断延迟约17ns），能够在高频开关环境中实现迅速的状态切换，降低动态损耗。ZXTP2013GTA还具备较强的抗雪崩能力和良好的热稳定性，结温可高达+150°C，确保在恶劣工作条件下依然可靠运行。其SOT-23封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。综合来看，这款MOSFET结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是各类便携式电子设备中进行电源管理与信号切换的理想组件。
ZXTP2013GTA主要应用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的电子系统中。常见用途包括移动设备中的电池供电管理，例如智能手机和平板电脑中的电源路径控制与充电回路切换。它也常被用作负载开关，用于控制外设模块的上电时序，避免启动冲击电流对主电源造成影响。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）周边电路中，该器件可用于实现多电源域之间的隔离与切换，提升系统能效。此外，ZXTP2013GTA适用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流或控制开关环节，尤其适合输入电压低于5V的小功率转换拓扑。工业传感器、便携式医疗设备、物联网终端节点以及USB供电接口中的过流保护与热插拔控制也是其典型应用场景。得益于其P沟道特性，无需额外的电荷泵即可实现高端开关功能，简化了驱动电路设计。其小型化的SOT-23封装进一步满足了高密度PCB布局的需求，因此在追求轻薄化与高性能并重的消费类电子产品中得到了广泛应用。
ZXMN2013G
DMG2013T
SI2303CDT
