型号：FEE4E20050300R101JT
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：3.0mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：75nC
　　总开关能量(Eoss)：180μJ
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247

FEE4E20050300R101JT 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少导通损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
　　3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 出色的热稳定性，确保长时间运行中的可靠性能。
　　5. 大电流承载能力，支持高功率密度设计。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
　　FEE4E20050300R101JT 的这些特性使其成为各种高要求应用的理想选择，例如服务器电源、太阳能逆变器、电动工具驱动等。

该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) - 提供高效稳定的电力转换。
　　2. 电机驱动 - 控制各类直流无刷电机和步进电机。
　　3. 工业自动化 - 包括伺服驱动器、机器人控制等。
　　4. 新能源技术 - 如光伏逆变器和电动汽车牵引逆变器。
　　5. 消费类电子产品 - 如笔记本电脑适配器、游戏机电源模块。
　　其高效率和强健的性能表现使 FEE4E20050300R101JT 成为众多工程师的首选解决方案。

FEE4E20050300R101JL, FEE4E20050300R101JH