类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：-35mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=2.5V：-48mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V典型值
　　输入电容（Ciss）：470pF
　　输出电容（Coss）：210pF
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作结温范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

ZXTP2008ZTA采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构通过在硅衬底上构建垂直沟道来显著降低导通电阻，从而提高器件的电流处理能力和效率。与传统的平面型MOSFET相比，TrenchFET技术能够在更小的芯片面积内实现更低的RDS(on)，这不仅提升了功率密度，还减少了导通损耗，特别适合用于高频率开关电源和同步整流等对能效要求较高的场合。
　　该器件的低阈值电压特性使其能够在较低的栅极驱动电压下完全导通，例如在3.3V或甚至2.5V逻辑电平下也能有效工作，因此非常适合现代低压数字控制系统中的功率开关应用。这一特点使得它可以直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需外加驱动器IC，简化了电路设计并节省了PCB空间。
　　ZXTP2008ZTA具备优异的热性能，其SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化设计可在有限的空间内有效散热。结合低导通电阻带来的功耗降低，使器件在持续负载条件下仍能维持稳定的工作温度，延长使用寿命并提升系统可靠性。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，增强了整个电源系统的鲁棒性。
　　为了进一步提高系统安全性，ZXTP2008ZTA内置了一定程度的静电放电（ESD）保护机制，能够抵御日常操作和装配过程中可能产生的静电损伤，减少生产过程中的失效风险。同时，其快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高电源转换效率，尤其适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理单元以及电机驱动等高频应用场景。

ZXTP2008ZTA广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同模块的供电通断以实现节能管理。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常作为高端或低端开关使用，特别是在同步整流拓扑中发挥关键作用，显著提升转换效率并减少发热。此外，它也适用于电池供电系统中的反向极性保护电路，防止因电池装反而导致的设备损坏。
　　在工业控制和自动化设备中，ZXTP2008ZTA可用于驱动继电器、LED灯串或其他低功率执行机构，利用其快速响应特性和低驱动需求实现精确控制。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件也可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐设备或传感器模块的电源管理单元。
　　在嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，该MOSFET常被用作电源多路复用器的一部分，实现主电源与备用电源之间的无缝切换。同时，它还可用于热插拔电路设计，确保在系统运行时安全地插入或移除子模块，避免电流冲击对主系统造成影响。得益于其紧凑的SOT-23封装和高性能表现，ZXTP2008ZTA成为众多小型化、高集成度电子产品中不可或缺的核心功率元件之一。

ZXMN2008ZFTA
　　DMG2008UFG
　　AOZ6208PI