集电极-发射极电压（Vces）：1000 V
　　发射极-集电极电压（Vec）：30 V
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20 V
　　集电极电流（Ic）@ 25°C：3 A
　　集电极电流（Ic）@ 100°C：1.5 A
　　集电极峰值电流（Icm）：6 A
　　功耗（Ptot）：75 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 至 +150 °C
　　阈值电压（Vge(th)）：典型值 5.5 V
　　饱和压降（Vce(sat)）@ Ic=3A, Vge=15V：典型值 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 140 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 35 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 200 ns
　　开关时间-开通（ton）：典型值 100 ns
　　开关时间-关断（toff）：典型值 1.2 μs

IXTH3N100P具备优异的开关特性和导通性能，能够在高频开关条件下保持较低的能量损耗。其栅极结构经过优化设计，具有较低的输入电容和米勒电容，有效减少了驱动电路所需的功率，并降低了因寄生电容引起的开关延迟和振荡风险。这使得器件在高频PWM调制应用中表现出色，尤其适用于需要快速响应和高动态性能的控制系统。
　　该IGBT的Vce(sat)参数在额定工作电流下维持在较低水平，通常仅为2.0V左右，显著低于传统双极型晶体管，从而大幅减少导通状态下的功率损耗，提升系统能效。同时，其正温度系数的Vce(sat)特性有利于多管并联使用时的电流均衡，避免出现热失控现象，增强了系统的安全性和稳定性。
　　器件具备良好的短路耐受能力，在规定的栅极驱动电压和工作条件下可承受数微秒的短路冲击，为系统提供了宝贵的故障响应时间。其抗雪崩能量能力强，能够承受一定程度的电感负载断开时产生的电压尖峰，提高了在感性负载切换过程中的鲁棒性。
　　IXTH3N100P采用TO-247封装，具有较大的散热面积和较低的热阻（Rth(j-c)约1.7 °C/W），便于通过外接散热器实现高效散热，确保长时间高负荷运行下的结温处于安全范围内。此外，该封装符合工业标准，易于集成到现有PCB布局和模块化设计中。
　　该器件还具备优良的温度稳定性，在宽温度范围内（-55°C至+150°C）仍能保持稳定的电气性能，适用于极端环境下的电力转换应用。其高绝缘电压和可靠的封装工艺也使其适用于医疗设备、铁路牵引和新能源发电等对安全性要求极高的领域。

IXTH3N100P广泛应用于多种高电压、中等电流的电力电子变换场合。常见用途包括交流电机驱动器中的功率级开关元件，用于控制三相或单相感应电机的转速与扭矩；在不间断电源（UPS）系统中作为DC-AC逆变桥臂的核心器件，实现直流电能向交流电能的高效转换，并支持纯正弦波输出。
　　在开关模式电源（SMPS）中，特别是高功率离线式电源拓扑如半桥、全桥或LLC谐振转换器中，IXTH3N100P可用于主开关管，处理来自整流后高压直流母线的能量传输任务。其快速开关能力和低导通损耗有助于提高电源的整体效率，并满足能源之星等能效标准的要求。
　　在感应加热设备中，例如电磁炉、金属熔炼炉或管道加热系统，该IGBT常被用作谐振逆变器的开关元件，配合LC谐振网络产生高频交变磁场，实现对金属材料的非接触式加热。其高频响应能力和耐高压特性非常适合此类应用场景。
　　此外，IXTH3N100P也可用于太阳能逆变器中的DC-AC转换阶段，将光伏阵列产生的直流电转化为电网兼容的交流电。虽然当前主流光伏逆变器更多采用更高功率等级的模块化IGBT或SiC器件，但在小型或分布式系统中，分立式IGBT如IXTH3N100P仍具成本优势和设计灵活性。
　　其他应用还包括电焊机电源、高压静电发生器、激光电源以及电动汽车充电装置中的辅助电源模块等。凭借其高可靠性和成熟的工艺技术，IXTH3N100P在工业自动化、能源基础设施和消费类大功率电器中均有广泛应用。

IXGH3N100P
　　IXGN3N100P
　　FGH3N100NTD