中心频率：13.2256MHz
　　频率公差：±10ppm 至 ±50ppm（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　负载电容：8pF, 10pF, 12pF, 18pF（针对无源晶振）
　　激励功率：≤100μW（典型值）
　　等效串联电阻（ESR）：≤60Ω（根据封装和设计而定）
　　老化率：±3ppm/年（典型值）
　　输出类型：CMOS/TTL/LVCMOS（对于有源振荡器）
　　供电电压：3.3V 或 5V（有源振荡器）
　　相位噪声：-120dBc/Hz @ 1kHz offset（典型值）
　　上升/下降时间：<10ns（有源振荡器）

13.2256MHz 晶体器件的核心特性之一是其高频率稳定性和低相位抖动，这对于确保数字系统的时序准确至关重要。该频率通常用于需要精确波特率生成的应用场景，例如异步串行通信中，若使用标准的16倍过采样机制，则13.2256MHz 可通过分频得到精确的115200bps 波特率（13.2256MHz ÷ 16 = 826.6kHz，再经由分频器得到所需速率），从而避免通信误码。这种频率匹配能力使其在工业通信模块、GPS接收机、无线收发模块中具有重要地位。
　　另一个关键特性是其良好的温度适应性。尽管基本型晶体（XO）可在宽温范围内工作，但在极端温度条件下仍可能出现频率漂移。为此，部分高端应用会选用温度补偿晶体振荡器（TCXO）版本，其内部集成了热敏元件和补偿电路，能够在-40°C至+85°C范围内将频率偏差控制在±0.5ppm到±2.5ppm之间，显著提升系统在户外或恶劣环境下的可靠性。此外，13.2256MHz 器件通常具备较低的启动时间（start-up time），一般在1ms到5ms之间，适合需要快速唤醒的低功耗系统。
　　从封装角度看，此类晶体多采用SMD小型化封装，如3225（3.2×2.5mm）、2520（2.5×2.0mm）或更小尺寸，便于在高密度PCB上集成。同时，为减少寄生电感和电容的影响，建议匹配的PCB布局中尽量缩短晶振引脚走线，并远离高频干扰源。对于无源晶体，还需外接两个匹配电容（通常为10–22pF）以构成皮尔斯振荡电路；而对于有源振荡器，则只需提供稳定电源并加装去耦电容即可直接输出方波信号，简化设计但成本略高。

13.2256MHz 频率广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高精度时钟源的通信与嵌入式设备中表现突出。在工业自动化领域，它常被用作PLC控制器、远程IO模块和现场总线接口的主时钟源，确保数据采集与传输的同步性。在消费类电子产品中，如智能仪表、POS机、条码扫描器等，该频率支持UART串口通信的精准波特率生成，保障与主机之间的稳定数据交换。
　　在无线通信系统中，13.2256MHz 也常作为射频芯片的参考时钟输入，例如在ZigBee、LoRa或BLE模块中，用于驱动内部锁相环（PLL）以合成所需的载波频率。某些GPS模块同样采用此频率作为基准，配合内部倍频电路生成卫星信号解调所需的本地振荡信号。此外，在音视频设备中，如数字音频编解码器（CODEC）或视频采集卡，13.2256MHz 可作为采样时钟源，确保A/D和D/A转换过程的时间一致性，降低失真。
　　在网络设备方面，路由器、交换机和光模块中的PHY芯片有时也会使用该频率进行数据帧同步和串行解串操作。特别是在千兆以太网物理层中，虽然主频通常为25MHz或125MHz，但辅助逻辑电路或管理单元可能依赖13.2256MHz 进行低速控制任务。此外，在测试测量仪器中，如示波器、逻辑分析仪的触发时基模块，也需要此类高稳定性晶振来保证长时间采集的时序准确性。综上所述，13.2256MHz 因其频率适配性强、易于分频生成常用通信速率，已成为众多电子系统中不可或缺的关键元器件。