时间：2025/8/6 8:00:48
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IXXH110N65C4是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET晶体管，属于CoolMOS?系列。这款晶体管设计用于高效率和高功率密度的应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源转换、工业电机控制和高功率电子设备。
类型：功率MOSFET
晶体管构型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：约6.2mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷（Qg）：约85nC
输入电容（Ciss）：约1800pF
功耗（Ptot）：300W
IXXH110N65C4具有低导通电阻（Rds(on)），可以显著降低导通损耗，提高系统的能效。
该器件采用了英飞凌的CoolMOS?技术，具备优异的开关性能，能够支持高频操作，从而减小功率转换器的体积。
其高雪崩能量耐受能力使其在面临瞬态过电压时更加可靠，适用于严苛的工作环境。
此外，IXXH110N65C4的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度管理。
由于其高耐压能力和大电流容量，该器件适用于各种高功率应用场景，提供卓越的性能和可靠性。
IXXH110N65C4广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及工业自动化和电机控制等领域。
它也适用于高功率密度的电源设计，如服务器电源、通信电源和UPS系统。
在电动汽车充电设备中，该器件可以用于高效的功率转换模块。
此外，该晶体管还可用于太阳能逆变器和储能系统，以实现高效率的能源转换。
由于其优异的动态性能和可靠性，IXXH110N65C4也是工业电机驱动和变频器的理想选择。
IXFN110N65X2D, SPW110N65CFD7
