时间：2025/8/13 18:08:20
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JANSF2N7546U3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性，常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和功率放大器等场合。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：1.5A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-92
功率耗散（PD）：1W
漏极-源极击穿电压：30V
JANSF2N7546U3 是一款具有高可靠性和稳定性的功率 MOSFET。该器件采用了先进的硅技术，具有较低的导通电阻，能够在高负载条件下保持良好的效率。其高栅极电压容限（±20V）确保了在复杂电路中的稳定运行。此外，该 MOSFET 的封装设计紧凑，便于在高密度 PCB 设计中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种极端环境条件下的应用。
该器件的导通电阻随温度变化较小，确保了在高温运行时仍能保持较低的导通损耗。同时，其快速开关特性减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统的效率。JANSF2N7546U3 还具有良好的热稳定性，能够在长时间运行中保持性能稳定，减少了故障率，延长了使用寿命。
JANSF2N7546U3 广泛应用于多种电子设备中，如开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制电路、功率放大器以及各种需要高可靠性和高效率的功率电子系统。其小巧的 TO-92 封装也使其非常适合用于空间受限的电路设计。
2N7000, 2N7002, BSS138
