型号：ZXTP19100CG
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -4.5V）；60mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V 至 -1.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@ VDS = 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

ZXTP19100CG具备优异的电气性能和热稳定性，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这使得它非常适合用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品，在这些应用中延长电池寿命是关键的设计目标。
　　该器件采用了先进的沟道工艺，实现了快速的开关响应时间，有助于减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。同时，其较低的栅极电荷（Qg）减少了驱动电路所需的功耗，进一步提升了系统的效率。
　　ZXTP19100CG支持逻辑电平驱动，可在-4.5V至-2.5V的栅源电压范围内有效工作，这意味着它可以与3.3V或5V逻辑输出直接接口，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了PCB布局和系统集成。这一特性对于紧凑型设计尤其重要。
　　器件的热性能也经过优化，能够在高负载条件下保持稳定运行。其最大结温可达+150°C，并具有良好的热关断保护能力，确保在异常工作条件下仍能维持可靠性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合绿色电子产品制造。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，还提供了良好的散热性能，便于在高密度PCB上进行自动化组装。这种封装形式广泛应用于现代电子设备中，兼容标准回流焊工艺，确保生产良率和一致性。

ZXTP19100CG广泛应用于需要高效功率开关的各种电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品的电源管理模块，例如作为电池供电系统的负载开关，用于控制不同子系统的供电通断，以实现节能待机或系统复位功能。
　　在移动设备中，该器件可用于USB电源开关、显示屏背光控制、音频放大器电源控制等场合，利用其快速响应和低静态功耗特性，提升用户体验和续航能力。
　　此外，ZXTP19100CG也可用于DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关配置，尤其是在降压（Buck）转换器拓扑中作为P沟道上管使用，简化驱动电路设计。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于小型继电器驱动、传感器电源切换以及PLC模块中的信号隔离与功率控制。
　　由于其高可靠性和宽温度工作范围，该器件还可应用于汽车电子中的非动力总成部分，如车载信息娱乐系统、LED照明控制和车内电源分配单元。总之，任何需要小型化、高效率和可靠性的P沟道MOSFET解决方案的应用都可以考虑使用ZXTP19100CG。

ZXM61P02GTA
　　DMG2302UW-7
　　SI2302CDT1-G